ISC046N04NM5 采用 SuperSO8 封裝的正常電平 OptiMOS? 5 低壓 MOSFET 40V。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 40 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：19A（Ta），77A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 4.6 毫歐 @ 35A，10V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 3.4V @ 17μA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 21 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF @ 20 V  

功率耗散（最大值）： 3W（Ta），50W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TDSON-8 FL  

封裝/外殼： 8-PowerTDFN

應(yīng)用

電池供電應(yīng)用

電動(dòng)工具

電池管理

低壓驅(qū)動(dòng)器

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