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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

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商品型號:IPB035N12NM6

商品名稱:N-通道功率MOSFET

品牌:INFINEON

年份:25+

封裝:PG-TO263-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:5000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IPB035N12NM6
封裝
PG-TO263-3
描述
120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3

產(chǎn)品描述

【IPB035N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET,正常電平,采用 D2PAK 3 引腳封裝。


說明:

IPB035N12NM6 是 D2PAK 3 針封裝的正常級別 120 V MOSFET,導(dǎo)通電阻為 3.5 mOhm。IPB035N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。


IPB035N12NM6 規(guī)格參數(shù):

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-通道

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V

Id-連續(xù)漏極電流: 138 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.6 V

Qg-柵極電荷: 58 nC

最小工作溫度: - 55℃

最大工作溫度: + 175℃

Pd-功率耗散: 246 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 12.8 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 65 S

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時間: 14.1 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 24.1 ns

典型接通延遲時間: 15.5 ns


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IPZA60R099CM8

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TO247-4

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