IPD60R950C6是一款600V N 溝道功率 MOSFET，屬于 CoolMOS? C6 系列。該系列結(jié)合了超結(jié)（SJ）技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，提供高能效和高可靠性。IPD60R950C6 具有極低的導(dǎo)通電阻（950mΩ）和快速開關(guān)特性，適用于多種電源管理應(yīng)用。

IPD60R950C6 產(chǎn)品屬性

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 4.4 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 950 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 13 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 26 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: CoolMOS

配置: Single

下降時(shí)間: 13 ns

高度: 2.3 mm

長度: 6.5 mm

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時(shí)間: 8 ns

系列: CoolMOS C6

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 60 ns

典型接通延遲時(shí)間: 10 ns

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