H5UG7HME03X020R是一款用于數(shù)據(jù)中心、超級計算機和人工智能領(lǐng)域尖端技術(shù)的最新高帶寬存儲器。產(chǎn)品：H5UG7HME03X020R類型：DRAM, DDR5密度：16GbKGSD密度：128Gb速度：6.0Gbps組織：x1024電壓：1.1V封裝：8Hi產(chǎn)品介紹：SK hynix通過開發(fā)HBM3鞏固了其在高速DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地…
H5UG7HME03X020R是一款用于數(shù)據(jù)中心、超級計算機和人工智能領(lǐng)域尖端技術(shù)的最新高帶寬存儲器。
產(chǎn)品：H5UG7HME03X020R
類型：DRAM, DDR5
密度：16Gb
KGSD密度：128Gb
速度：6.0Gbps
組織：x1024
電壓：1.1V
封裝：8Hi
產(chǎn)品介紹：
SK hynix通過開發(fā)HBM3鞏固了其在高速DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，HBM3是數(shù)據(jù)中心、超級計算機和人工智能領(lǐng)域尖端技術(shù)的最新高帶寬存儲器。
先進的散熱技術(shù)：
在相同的工作電壓水平下，HBM3的運行溫度低于HBM2E，增強了服務(wù)器系統(tǒng)環(huán)境的穩(wěn)定性。在相同的工作溫度下，SK hynix HBM3可以支持12芯片堆棧，容量是HBM2E的1.5倍，6Gbps I/O速度的帶寬是HBM2E的1.8倍。因此，SK hynix在相同的工作條件下具有更大的冷卻能力，實現(xiàn)了其Memory ForEST*計劃。
性能提升：
SK hynix HBM3的容量是HBM2E的1.5倍，由12個DRAM芯片堆疊而成，總封裝高度相同，適合AI和HPC等功率容量密集型應(yīng)用。單個立方體可以產(chǎn)生高達(dá)819GB/s的帶寬，而在同一芯片上具有六個HBM芯片的SiP(系統(tǒng)級封裝)可以實現(xiàn)高達(dá)4.8TB/s的帶寬，以支持exascale需求。
片上 ECC：
SK hynix HBM3還具有一個強大的定制設(shè)計的片內(nèi)ECC(糾錯碼)，它使用預(yù)先分配的奇偶校驗位來檢查和糾正接收數(shù)據(jù)中的錯誤。嵌入式電路允許DRAM自校正單元內(nèi)的錯誤，顯著增強了器件的可靠性。
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