IPB180N06S4-H1（汽車MOSFET）：60V、N通道、OptiMOS? -T2 功率晶體管，PG-TO263-7

產(chǎn)品詳情：

型號(hào)：IPB180N06S4-H1

封裝：PG-TO263-7

類型：汽車 MOSFET 晶體管

IPB180N06S4-H1 產(chǎn)品屬性：

系列：OptiMOS?

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：180A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.7 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：270 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：21900 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）：250W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-7-3

封裝/外殼：TO-263-7，D2PAK（6 引線 + 凸片）

IPB180N06S4-H1 產(chǎn)品特性：

N溝道 - 增強(qiáng)模式

符合汽車 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)

MSL1 最高回流溫度可達(dá) 260°C 峰值

工作溫度為 175°C

100% Avalanche 測試

超低 RDS(on)

支持 PPAP 的設(shè)備

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