商品名稱：汽車 MOSFET
品牌：INFINEON
年份：25+
封裝：PG-TDSON-8
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：5000 件
IPG20N06S4L-14【Infineon】60V、OptiMOS?-T2 汽車MOSFET晶體管，PG-TDSON-8
以下是關(guān)于 IPG20N06S4L-14 的產(chǎn)品詳情：
型號：IPG20N06S4L-14
封裝：PG-TDSON-8
類型：汽車MOSFET晶體管
IPG20N06S4L-14 產(chǎn)品屬性：
系列：OptiMOS?-T2
ID (@25°C) max：20 A
IDpuls max：80 A
Ptot max：50 W
QG (typ @10V)︰30 nC
QG (typ @10V) max：39 nC
RDS (on) (@10V) max：13. 7 mΩ
RthJC max：3 K/W
VDS max：60 V
VGS(th)：1.7 V
封裝：雙 SS08 (PG-TDSON-8)
工作溫度：-55 °C 至 175 °C
IPG20N06S4L-14 產(chǎn)品特性：
邏輯級別 - 增強模式
符合汽車 AEC Q101 標準
MSL1 最高回流溫度可達 260°C 峰值
工作溫度為 175°C
100% Avalanche 測試
支持 PPAP 的設(shè)備
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
IPB35N10S3L-26
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【IPB133N12NM6】120V，OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管，正常電平，采用 DPAK 3 引腳封裝。說明：IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針封裝的正常級別 120 V MOSFET，導通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…
IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03：60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管，PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù)：產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…
IMCQ120R078M2H
IMCQ120R078M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V，78 mΩ G2，采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝，專為工業(yè)應用的廣泛使用而設(shè)計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計靈活性及性能的…
IMCQ120R007M2H
IMCQ120R007M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V，7 mΩ G2，采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝，專為工業(yè)應用的廣泛使用而設(shè)計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計靈活性及性能的…電話咨詢：86-755-83294757
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