BSC015NE2LS5I 是一款 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用 TDSON-8（PG-TDSON-8-6） 封裝，屬于 OptiMOS? 5 系列。該器件具有 低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）、高開關(guān)速度 和 優(yōu)異的散熱性能，適用于高效率電源管理、電機(jī)驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用。

BSC015NE2LS5I 關(guān)鍵特性

低導(dǎo)通電阻：1.5mΩ @ 10V VGS（最大值 2.5mΩ），顯著降低功率損耗。

高電流能力：連續(xù)漏極電流（ID）：33A（Ta） / 100A（Tc）。

峰值電流（IDRM）：147A（部分供應(yīng)商標(biāo)注）。

快速開關(guān)性能：低柵極電荷（Qg）：10.5nC（典型值），減少開關(guān)損耗。

工作溫度范圍：-55°C ~ +150°C（TJ）。

最大功耗：2.5W（Ta） / 50W（Tc）。

緊湊封裝：TDSON-8-6（PG-TDSON-8） 表面貼裝封裝，適合高密度PCB設(shè)計。

BSC015NE2LS5I 典型應(yīng)用

電源管理：DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源（SMPS）、POL（負(fù)載點(diǎn)）穩(wěn)壓器。

電機(jī)驅(qū)動：伺服電機(jī)、無刷直流電機(jī)（BLDC）控制。

電池管理系統(tǒng)（BMS）：電池保護(hù)電路、充放電控制。

通信與計算設(shè)備：服務(wù)器電源、CPU/GPU VRM（電壓調(diào)節(jié)模塊）。

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