IPTC068N20NM6功率MOSFET是一款N溝道正常電平MOSFET，采用 PG-HDSOP-16 封裝。這款MOSFET符合IEC61249?2?21規(guī)定的無鹵素要求，根據(jù)J?STD-020標準分類潮濕敏感度等級為 (MSL 1) 。

IPTC068N20NM6具有以下關(guān)鍵參數(shù)：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：15.2A（Ta），140A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，15V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：6.25 毫歐 @ 126A，15V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 251μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：107 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7300 pF @ 100 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），319W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-HDSOP-16

技術(shù)優(yōu)勢

更高的功率密度

易于使用和快速設(shè)計導(dǎo)入

簡化的產(chǎn)品組合

降低裝配成本

節(jié)省空間

SMT 兼容

應(yīng)用場景

IPTC068N20NM6非常適合可再生能源、電機控制、音頻放大器和工業(yè)應(yīng)用。

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