IPW65R025CM8是（Infineon）推出的一款CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET，它根據(jù)超級結（SJ）原理設計，具有低開關和導通損耗。該款MOSFET具有優(yōu)異的換向耐受性，因此適合用于硬開關和軟開關拓撲結構。

主要規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：90A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：25 毫歐 @ 40A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.7V @ 1.06mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：124 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5910 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：431W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO247-3

應用場景

IPW65R025CM8設計符合RoHS標準，且完全符合JEDEC工業(yè)應用標準。典型應用包括LLC諧振轉(zhuǎn)換器、AI服務器、電信電源和數(shù)據(jù)中心。

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