PSMN4R2-80YSEX 80V MOSFET建議用于高效率開關(guān)和高可靠性應(yīng)用。NextPower MOSFET具有50%低RDS(on) 和強(qiáng)大的抗雪崩能量。這些器件非常適用于電源、電信、工業(yè)設(shè)計(jì)、USB-PD Type-C充電器和適配器，以及48V直流-直流適配器。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：170A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4.2 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：110 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：8000 pF @ 40 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：294W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK56，Power-SO8

封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK

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