GANE3R9-150QBAZ氮化鎵 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化鎵 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常閉電子模式器件，具有出色的性能和非常低的導通電阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平無引線封裝 (VQFN)。
特性：
增強模式－常關電源開關
超高頻開關能力
無體二極管
低柵極電荷、低輸出電荷
符合標準應用標準
符合RoHS指令，無鉛，符合REACH標準
高效率和高功率密度
超薄四方扁平無引線封裝 (VQFN)：4.0mm x 6.0mm
應用：
高功率密度和高效率電源轉換
交流-直流轉換器（二次級）
48V系統(tǒng)中的高頻直流-直流轉換器
快速電池充電、手機、筆記本電腦、平板電腦和USB type-C充電器
數(shù)據(jù)通信和電信（交流-直流和直流-直流）轉換器
電機驅(qū)動器
LiDAR（非汽車）
D類音頻放大器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Nexperia
CCPAK1212i
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 58.5A（Tc） 250W（Tc） CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 40 V 20A（Ta） 13W（Ta） 22-WLCSP（2.1x2.1）
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安世半導體（中國）有限公司 Nexperia是全球領先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨立。Nexperia極為重視效率，生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導體元件，每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合，能夠滿足汽車…
PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉換應用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關斷、零恢復開關特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點零正向和反向恢復降低系統(tǒng)成本與溫度無關的快速平穩(wěn)開關…
PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉換應用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關斷、零恢復開關特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點零正向和反向恢復降低系統(tǒng)成本與溫度無關的快速平穩(wěn)開關…
GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212i倒裝封裝，具有低電感、低開關損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術：GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58.5A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，…
GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合，可優(yōu)化散熱和電氣性能，提供共源共柵配置，無需復雜的驅(qū)動器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電…
GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET，具有出色的性能。特性：增強模式－常關電源開關雙向器件超高開關速度能力超低導通電阻符合RoHS指令，無鉛，符合REACH標準高效率和高功率密…
NSF060120D7A0J
NSF060120D7A0J是一款基于碳化硅的1200 V功率MOSFET，采用標準7引腳TO-263塑料封裝（用于表面貼裝PCB技術），具有出色的RDSon 溫度穩(wěn)定性。該MOSFET非常適合用于大功率和高壓工業(yè)應用，包括電動汽車充電基礎設施、光伏逆變器和電機驅(qū)動器。NSF060120D7A0J的規(guī)格：通道模式…電話咨詢：86-755-83294757
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