IPF010N06NF2S StrongIRFET? 2 個 60 V 單 N 溝道功率 MOSFET，采用 D2PAK 7 引腳封裝。

產(chǎn)品屬性

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 293 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.05 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V

Qg-柵極電荷: 203 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商標名: StrongIRFET

系列: StrongIRFET 2

配置: Single

下降時間: 34 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 150 S

上升時間: 34 ns

典型關(guān)閉延遲時間: 69 ns

典型接通延遲時間: 26 ns

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