FF33MR12W1M1HB11BPSA1 1200 V, 33 mΩ 半橋模塊采用了第一代增強(qiáng)型CoolSiC? MOSFET、集成式 NTC 溫度傳感器和 PressFIT壓接技術(shù)。

特征描述

12 毫米高的同類最佳封裝

將領(lǐng)先寬禁帶材料與 Easy 模塊封裝相結(jié)合

模塊雜散電感極低

較寬的反偏安全工作區(qū) (RBSOA)

采用第一代增強(qiáng)型溝槽技術(shù)的1200 V CoolSiC? MOSFET 

建議柵極驅(qū)動電壓窗口增大：從 +15 擴(kuò)展至 +18 V，從 0 V 擴(kuò)展至 -5 V

擴(kuò)展的最大柵-源電壓：+23 V 和 -10 V

過載條件下工作結(jié)溫 Tvjop 高達(dá) 175°C 

PressFIT 引腳

集成 NTC 溫度傳感器

潛在應(yīng)用

高頻開關(guān)應(yīng)用

直流/直流轉(zhuǎn)換器

電機(jī)驅(qū)動器

UPS 系統(tǒng)

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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