最新資訊概述：NVMYS9D3N06CLTWG功率MOSFET是一款60V、9.2m?單N溝道MOSFET，采用緊湊高效的設(shè)計(jì)，具有較高的散熱性能。該MOSFET具有低RDS(ON)，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，另外還具有低柵極電荷（QG）和電容，可最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器損耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)…
概述：
NVMYS9D3N06CLTWG功率MOSFET是一款60V、9.2m?單N溝道MOSFET，采用緊湊高效的設(shè)計(jì)，具有較高的散熱性能。該MOSFET具有低RDS(ON)，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，另外還具有低柵極電荷（QG）和電容，可最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器損耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，具有PPAP功能。該MOSFET適合用于電池反向保護(hù)、電源開(kāi)關(guān)、開(kāi)關(guān)電源以及其他需要增強(qiáng)板級(jí)可靠性的汽車(chē)應(yīng)用。
主要特性：
占位面積小 (5mm x 6mm)，設(shè)計(jì)緊湊
低RDS(ON)，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗
QG 和電容較小，可使驅(qū)動(dòng)器損耗最小化
漏極-源極電壓（VDSS）：60V
連續(xù)漏極電流（ID）：50A（TC = 25°C時(shí)）
漏極-源極導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：9.2mΩ
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)LFPAK4封裝
符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能
無(wú)鉛，符合RoHS指令
應(yīng)用
反向電池保護(hù)
電源開(kāi)關(guān)（如高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器和半橋）
電磁驅(qū)動(dòng)器
電機(jī)控制
負(fù)載開(kāi)關(guān)
開(kāi)關(guān)電源
封裝尺寸
時(shí)間：2025-06-21
時(shí)間：2025-06-21
![[供應(yīng)] 原裝芯片 TPS563201DDCR (TI) 3A、同步降壓轉(zhuǎn)換器](/upload/202506/21/202506211444487718.jpg)
時(shí)間：2025-06-21
時(shí)間：2025-06-21
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國(guó)利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接:
