供應(yīng) ON 晶體管——碳化硅（SiC）晶體管、IGBT晶體管、MOSFET晶體管

深圳市明佳達(dá)電子有限公司——長(zhǎng)期供應(yīng)【ON】全系列晶體管產(chǎn)品，涵蓋 碳化硅 (SiC) 晶體管、IGBT 晶體管、MOSFET 晶體管等產(chǎn)品，公司長(zhǎng)期致力于為客戶提供高性能、高可靠性的功率器件。

明佳達(dá)電子長(zhǎng)期供應(yīng)以下ON 晶體管產(chǎn)品：

一、碳化硅（SiC）晶體管

碳化硅（SiC）材料憑借其高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率等特性，使SiC MOSFET和SiC肖特基二極管在高壓、高溫和高頻應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。

典型產(chǎn)品型號(hào)：

FFSH40120A：1200V/40A SiC肖特基二極管，反向恢復(fù)損耗極低，搭配SiC MOSFET可構(gòu)建高效全SiC系統(tǒng)。

NVHL080N120SC1：1200V/80mΩ SiC MOSFET，開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)MHz級(jí)別，適用于車載充電器（OBC）和光伏逆變器。

NV4TH015N090SC1：900V/15mΩ SiC MOSFET模塊，集成半橋拓?fù)?，用于工業(yè)電源和儲(chǔ)能系統(tǒng)。

二、IGBT晶體管

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極型晶體管的高電流能力，廣泛用于逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)變頻器。

典型產(chǎn)品型號(hào)：

FGH40T65SQD：650V/40A高速IGBT，優(yōu)化了短路耐受能力，適合焊接設(shè)備和電機(jī)控制。

NXV15F120T1：集成反向二極管的汽車級(jí)IGBT模塊，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，用于電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

NGTB40N120FL3WG：1200V/40A IGBT，采用Field Stop III技術(shù)，開(kāi)關(guān)損耗低，適用于太陽(yáng)能逆變器和UPS系統(tǒng)。

三、MOSFET晶體管

Onsemi的MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）以低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）、高開(kāi)關(guān)頻率和低損耗著稱，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。

典型產(chǎn)品型號(hào)：

FDBL86062：雙N溝道MOSFET，耐壓60V，專為同步整流設(shè)計(jì)，適合高頻開(kāi)關(guān)電源。

FDMS86101：采用PowerTrench?技術(shù)的MOSFET，耐壓100V，電流能力高達(dá)120A，適用于電動(dòng)汽車充電模塊。

NTMFS5C410N：N溝道MOSFET，耐壓40V，連續(xù)電流100A，RDS(on)低至0.41mΩ，適用于服務(wù)器電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器。

此外，明佳達(dá)電子還長(zhǎng)期供應(yīng)【ON】功率模塊，涵蓋 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC混合模塊、二極管、SiC二極管和智能功率模塊等；也供應(yīng)【ON】傳感器，涵蓋 圖像傳感器、感應(yīng)式傳感、圖像信號(hào)處理器（ISP）、圖像傳感器模塊、光電探測(cè)器（SPAD、SiPM） 、熱管理 、超聲波傳感器、環(huán)境光傳感器、電化學(xué)傳感器AFE等產(chǎn)品。

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