ADI LTC4449IDCB 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器深圳市明佳達電子有限公司作為一家在電子元器件領(lǐng)域有著豐富經(jīng)驗和良好信譽的公司。長期供應(yīng) ADI LTC4449IDCB 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器，為電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來高性能、高可靠性的解決方案。LTC4449IDCB 產(chǎn)品描述LTC444…
ADI LTC4449IDCB 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器
深圳市明佳達電子有限公司作為一家在電子元器件領(lǐng)域有著豐富經(jīng)驗和良好信譽的公司。長期供應(yīng) ADI LTC4449IDCB 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器，為電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來高性能、高可靠性的解決方案。
LTC4449IDCB 產(chǎn)品描述
LTC4449IDCB 是一款高頻柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于驅(qū)動同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的兩個 N 溝道 MOSFET。強大的軌至軌驅(qū)動器功能可降低具有高柵電容的 MOSFET 的開關(guān)損耗。
LTC4449IDCB 為輸入邏輯提供獨立電源，以匹配控制器 IC 的信號擺幅。如果輸入信號未被驅(qū)動，LTC4449IDCB 將激活關(guān)斷模式，關(guān)閉兩個外部 MOSFET。輸入邏輯信號在內(nèi)部電平轉(zhuǎn)換至自舉電源，在高達 42V 的接地電壓下工作。
LTC4449IDCB 在驅(qū)動器和邏輯電源上都包含欠壓鎖定電路，當(dāng)出現(xiàn)欠壓條件時，可關(guān)閉外部 MOSFET。該器件還內(nèi)置了自適應(yīng)擊穿保護功能，以防止 MOSFET 跨導(dǎo)電流造成功率損耗。
LTC4449IDCB 采用 2mm × 3mm DFN 封裝。
LTC4449IDCB 規(guī)格
產(chǎn)品： MOSFET 柵極驅(qū)動器 MOSFET 柵極驅(qū)動器
類型： 高壓側(cè)、低壓側(cè) 高壓側(cè)、低壓側(cè)
安裝方式： SMD/SMT SMD/SMT
封裝/外殼 DFN-8
驅(qū)動器數(shù)量：2 驅(qū)動器
輸出數(shù)：2 輸出
輸出電流：4.5 A
電源電壓 - 最低 4 V
電源電壓 - 最大值： 6.5 V
上升時間：8 ns
下降時間：7 ns
最低工作溫度：- 40 ℃
最高工作溫度 + 125 ℃
輸入電壓 - 最大值： 38 V
工作電源電流： 730 uA
LTC4449IDCB 的特性
4V 至 6.5V VCC 工作電壓
38V 最大輸入電源電壓
自適應(yīng)擊穿保護
軌至軌輸出驅(qū)動器
3.2A 峰值上拉電流
4.5A 峰值下拉電流
8ns TG 上升時間（驅(qū)動 3000pF 負載
7ns TG 下降時間，驅(qū)動 3000pF 負載
獨立供電以匹配 PWM 控制器
驅(qū)動雙 N 溝道 MOSFET
欠壓鎖定
扁平 (0.75mm) 2mm × 3mm DFN 封裝
LTC4449IDCB 的應(yīng)用
LTC4449IDCB 的出色性能使其能夠用于各種應(yīng)用。在高效率降壓或升壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中，LTC4449IDCB 憑借其強大的柵極驅(qū)動能力和低開關(guān)損耗，可顯著提高電源轉(zhuǎn)換效率，為設(shè)備提供穩(wěn)定可靠的電源。在汽車電子領(lǐng)域，面對復(fù)雜的電氣環(huán)境和對電源穩(wěn)定性的高要求，LTC4449IDCB 的高耐壓、高驅(qū)動能力和保護功能可確保汽車電子系統(tǒng)的正常運行。在工業(yè)自動化設(shè)備中，LTC4449IDCB 的快速響應(yīng)和高可靠性可以滿足設(shè)備對電源快速切換和穩(wěn)定輸出的需求，提高設(shè)備的效率和穩(wěn)定性。
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