APTM10DAM05TG是一款專為高可靠性需求設(shè)計的功率MOSFET模塊，其技術(shù)參數(shù)包括：
配置：升壓斬波器
電壓：100V
RDSon (mR) 典型值：4.5mOhm
電流Tc=80°C：207A
硅類型：MOSFET
封裝：SP4
APTM10DAM05TG具有以下優(yōu)點(diǎn)：
在高頻操作下表現(xiàn)出色
可直接安裝到散熱器（絕緣封裝）
低結(jié)點(diǎn)到外殼的熱阻
供電和信號均可焊接的端子，便于PCB安裝
低剖面
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用場景
APTM10DAM05TG模塊主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)控制、工業(yè)自動化設(shè)備等需高功率密度與穩(wěn)定性的領(lǐng)域。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Microchip Technology Incorporated（納斯達(dá)克股市代號：MCHP）美國微芯半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商，為全球數(shù)以千計的消費(fèi)類產(chǎn)品提供低風(fēng)險的產(chǎn)品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時間。Microchip公司自成立以來，就密切關(guān)注嵌入控制半導(dǎo)體產(chǎn)品市…
VSC7425XJG-02
VSC7425XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 18 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機(jī)，在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 4 端口 PHY VSC8514 配合使用，只需兩個集成電路即可設(shè)計出 18 端口交換機(jī)。VSC7425 采用全新 65 納米 SimpliPHY 技術(shù)，是業(yè)界最具成本效益、功耗最低的器件之一…
VSC7552TSN-V/5CC
VSC7552TSN-V/5CC SparX-5i-128 是一款 128 Gbps 工業(yè)以太網(wǎng)交換機(jī)，支持 1G、2.5G、5G、10G 和 25G 以太網(wǎng)端口組合。該器件提供豐富的工業(yè)以太網(wǎng)交換功能，包括完整的 TSN 功能集、L2 交換、L3 路由、無縫冗余和高精度定時。它采用多級多功能內(nèi)容感知處理器（VCAP）技術(shù)…
VSC7427XJG-02
VSC7427XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 26 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機(jī)，在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 12 端口 PHY VSC8512 配合使用，只需兩個集成電路即可設(shè)計出 26 端口交換機(jī)。VSC7427 采用新型 65 納米 SimpliPHY 技術(shù)，是業(yè)內(nèi)最具成本效益、功耗最低的器件之…
KSZ8081RNDCA
KSZ8081RNDCA是一款單電源供電的10Base-T/100Base-TX以太網(wǎng)物理層收發(fā)器，用于通過標(biāo)準(zhǔn)CAT-5非屏蔽雙絞線（UTP）電纜傳輸和接收數(shù)據(jù)。
APTM10SKM05TG
APTM10SKM05TG是Microchip推出的一款功率模塊，低RDS(on)、快速開關(guān)和穩(wěn)定的熱性能，適合高效功率應(yīng)用?；緟?shù)配置：降壓斬波器電壓：100VRDSon (mR) 典型值：4.5mOhm電流Tc=80C：207A硅類型：MOSFET封裝：SP4該款A(yù)PTM10SKM05TG模塊采用SP4封裝，具備低導(dǎo)通電阻（4.5mΩ…
APTM10SKM02G
APTM10SKM02G模塊是（Microchip）推出的一款Buck chopper功率MOSFET模塊，主要應(yīng)用于AC/DC電機(jī)控制和開關(guān)電源。其核心參數(shù)包括：配置：降壓斬波器電壓：100VRDSon (mR) 典型值：2.25mOhm電流Tc=80C：370A硅類型：MOSFET封裝：SP6CAPTM10SKM02G采用Power MOS V MOSFET，具…電話咨詢：86-755-83294757
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