MK61FN1M0VMD12：120MHz，32位 ARM? Cortex?-M4 Kinetis K61 微控制器 IC，LBGA-144

型號：MK61FN1M0VMD12

封裝：LBGA-144

類型：32位微控制器 - MCU

MK61FN1M0VMD12 產(chǎn)品屬性：

系列：Kinetis K61

核心處理器：ARM? Cortex?-M4

內(nèi)核規(guī)格：32-位

速度：120MHz

I/O 數(shù)：95

程序存儲容量：1MB（1M x 8）

程序存儲器類型：閃存

RAM 大小：128K x 8

電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.71V ~ 3.6V

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D 53x16b; D/A 2x12b

振蕩器類型：內(nèi)部

工作溫度：-40°C ~ 105°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：144-MAPBGA（13x13）

封裝/外殼：144-LBGA

MK61FN1M0VMD12 產(chǎn)品特征：

超低功耗

10種低功耗模式，提供電源和時鐘門控，可幫助優(yōu)化外設(shè)活動和恢復(fù)時間。運行功耗降至350 μA/MHz，靜態(tài)功耗降至5.6 μA，支持全狀態(tài)保留，6 μS即可喚醒。靜態(tài)功耗可低至280 nA。

工作電壓降至1.71 V時，仍可實現(xiàn)完整的存儲器和模擬操作，延長了電池使用時間

低漏電喚醒單元，帶有多達(dá)8個內(nèi)置模塊和16個引腳，可作為低漏電停止(LLS)模式/超低漏電停止(VLLS)模式的喚醒源

低功耗定時器支持系統(tǒng)在低功耗狀態(tài)下持續(xù)運行

閃存、SRAM和FlexMemory

512 KB - 1 MB閃存。支持快速訪問，具備高可靠性，提供4級安全保護(hù)

128 KB的SRAM

FlexMemory：32字節(jié) - 16 KB的用戶可分段字節(jié)寫入/擦除EEPROM，適用于數(shù)據(jù)表/系統(tǒng)數(shù)據(jù)?？刹翆?0M次以上的EEPROM和寫入時間僅70 μs的閃存(出現(xiàn)電力故障時不會發(fā)生數(shù)據(jù)丟失或損壞)。無需用戶或系統(tǒng)干預(yù)便可完成編程和擦除功能，工作電壓降至1.71V時仍可完全工作。此外，512 KB的FlexNVM還用于額外程序代碼、數(shù)據(jù)或EEPROM備份

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