2ED2106S06F是650 V高邊和低邊高速功率 MOSFET和IGBT 柵極驅(qū)動器，它采用DSO-8封裝，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流。

基于英飛凌SOI技術(shù), 它對VS引腳的負瞬態(tài)電壓有著出色的耐用性和抗干擾性。2ED2106S06F沒有采用寄生晶閘管結(jié)構(gòu)，因此在任何溫度和電壓條件下，都不存在寄生閂鎖效應(yīng)。

2ED2106S06F的特性包括：

工作電壓（VS節(jié)點）高達 + 650 V

VS負瞬態(tài)抗擾 100 V

集成超快、低電阻自舉二極管, 減少了物料清單成本

浮動通道，用于自舉操作

最大電源電壓：25 V

兩個通道均具有獨立的欠壓鎖定（UVLO）

傳播延時：200 ns

HIN, LIN 邏輯輸入

VS引腳的邏輯操作高達–11 V

輸入負電壓容差：–5 V

浮動通道可用于驅(qū)動采用高邊配置的N通道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT

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