LTC4229IUFD通過控制兩個(gè)外部 N 溝道 MOSFET 為一個(gè)電源軌提供了理想二極管和熱插拔 (Hot Swap?) 功能。LTC4229IUFD可調(diào)節(jié)外部 MOSFET 兩端的正向壓降，以確保在二極管“或”應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)平滑的電流轉(zhuǎn)移。理想二極管快速接通以減小電源切換期間的負(fù)載電壓降。

產(chǎn)品特點(diǎn)

LTC4229IUFD的特點(diǎn)主要包括：

用于冗余電源的理想二極管和浪涌電流控制

功率肖特基二極管的低損耗替代方案

可保護(hù)輸出電壓免受輸入欠壓的影響

允許在帶電背板上安全地進(jìn)行熱插拔操作

2.9V 至 18V 工作范圍

可控制背對(duì)背 N 溝道 MOSFET

可在 ≤1μs 的時(shí)間里實(shí)現(xiàn)對(duì)峰值故障電流的限制

具折返的可調(diào)電流限值

可調(diào)的啟動(dòng)和電流限制故障延遲

0.5μs 的理想二極管接通和關(guān)斷時(shí)間

欠壓和過壓保護(hù)

狀態(tài)、故障和電源良好輸出

在發(fā)生故障之后執(zhí)行鎖斷或自動(dòng)重試操作 (可通過引腳來選擇)

24 引腳 4mm x 5mm QFN 封裝

應(yīng)用領(lǐng)域

LTC4229IUFD適用于多種高可用性系統(tǒng)，如冗余電源、電源保持、高可用性系統(tǒng)和服務(wù)器、電信和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等。

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