商品名稱:電機(jī)驅(qū)動器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:TQFP-48
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
TLE9883QTA62:帶 CAN-FD 的 MOTIX? 兩相電機(jī)驅(qū)動器,TQFP-48
基本信息:
型號:TLE9883QTA62
封裝:TQFP-48
類型:MOTIX? 兩相電機(jī)驅(qū)動器
TLE9883QTA62 屬于 MOTIX? TLE988x 產(chǎn)品系列。它是一款完全集成的 2 相電機(jī)驅(qū)動器,采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 Arm? Cortex?-M3 內(nèi)核,能夠?qū)崿F(xiàn)先進(jìn)的電機(jī)控制算法。它包括一個(gè)橋式驅(qū)動器,可驅(qū)動多達(dá)四個(gè)外部功率 NFET,實(shí)現(xiàn) 2 相電機(jī)控制。雙級電荷泵可實(shí)現(xiàn)低電壓操作和可編程電荷電流曲線,以及用于優(yōu)化電磁兼容性的自適應(yīng) MOSFET 控制。其外設(shè)集包括一個(gè)電流檢測放大器、兩個(gè)逐次逼近 ADC(可與用于 PWM 生成的捕獲和比較單元 7 同步)以及多個(gè) 16 位定時(shí)器。
TLE9883QTA62 產(chǎn)品屬性:
應(yīng)用:BLDC 控制器
核心處理器:ARM? Cortex?-M3
程序存儲器類型:EEPROM(8kB),F(xiàn)LASH(272kB)
控制器系列:TLE988x
RAM 大?。?1K x 8
接口:CANbus,DMA,GPIO,SPI,SSC,UART/USART
I/O 數(shù):8
電壓 - 供電:5.5V ~ 28V
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:48-TQFP 祼焊盤
供應(yīng)商器件封裝:PG-TQFP-48-10
TLE9883QTA62 一般特性:
工作電源電壓 Vs=5.5 至 28V,最大額定電壓 40V
擴(kuò)展工作范圍 Vs=3.0 至 28V,MCU/閃存功能齊全
靜電放電敏感性:
- 高達(dá) 2kV / 處理所有引腳
- 4kV @ 高壓輸入
- 6kV @ CAN
寬工作溫度范圍: Tj:-40°C 至 150°C
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時(shí)不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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