DIF120SIC053-AQ：SiC MOSFET 晶體管——高速高壓（功率）開關(guān)，TO-247-4

型號：DIF120SIC053-AQ

封裝：TO-247-4

類型：SiC MOSFET 晶體管

DIF120SIC053-AQ 產(chǎn)品屬性：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：65A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：53 毫歐 @ 33A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 9.5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：121 nC @ 15 V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2070 pF @ 1000 V

功率耗散（最大值）：278W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-4

DIF120SIC053-AQ 產(chǎn)品特征：

碳化硅寬帶隙材料

較大的間隙和爬電空間

開爾文源可實現(xiàn)快速開關(guān)并

降低柵極噪聲水平

低導(dǎo)通電阻

開關(guān)時間快

柵極電荷低

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