HMC525ALC4是一款砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的24引腳、陶瓷無(wú)鉛芯片載體(LCC)封裝。該器件可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。該混頻器使用兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙平衡混頻器單元和一個(gè)90°混合器件，均采用GaAs金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)工藝。HMC525ALC4為混合型鏡像抑制混頻器和單邊帶上變頻器組件的小型替代器件。HMC525ALC4無(wú)需線焊，可以使用表貼制造技術(shù)。

HMC525ALC4特性

無(wú)源：無(wú)需直流偏置

轉(zhuǎn)換損耗：8 dB（典型值）

輸入IP3：20 dBm（典型值）

LO至RF隔離：47 dB（典型值）

IF頻率范圍：DC至3.5 GHz

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的24引腳、4 mm × 4 mm LCC封裝

HMC525ALC4技術(shù)參數(shù)

射頻: 4 GHz to 8.5 GHz

轉(zhuǎn)換損失——最大: 11 dB

NF—噪聲系數(shù): 8 dB

LO頻率: 4 GHz to 8.5 GHz

中頻: DC to 3.5 GHz

最大工作溫度: + 85 C

最小工作溫度: - 40 C

OIP3 - 三階截點(diǎn): 20 dBm

P1dB - 壓縮點(diǎn): 13 dBM

HMC525ALC4應(yīng)用

微波和甚小孔徑終端無(wú)線電

測(cè)試設(shè)備

點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電

軍事電子戰(zhàn)、電子對(duì)抗、以及指揮、控制、通信和情報(bào)

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