SCT016H120G3AG器件是一款1200 V 汽車級碳化硅功率 MOSFET 晶體管，采用ST先進的第三代SiC MOSFET技術(shù)開發(fā)而成，具有高開關(guān)速度和堅固的內(nèi)建體二極管，適用于高頻應(yīng)用。此外，SCT016H120G3AG符合AEC-Q101標(biāo)準，適用于汽車電子領(lǐng)域。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品：SCT016H120G3AG

封裝 / 箱體：H2PAK-7

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流：112 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：22 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：3 V

Qg-柵極電荷：150 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：652 W

通道模式：Enhancement

資格：AEC-Q101

配置：Single

下降時間：23 ns

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

封裝：MouseReel

產(chǎn)品：SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時間：22 ns

典型關(guān)閉延遲時間：126 ns

典型接通延遲時間：46 ns

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