SCT040W65G3-4是一款碳化硅功率MOSFET,具有650V的漏源極擊穿電壓、30A的連續(xù)漏極電流和45mOhm的典型導(dǎo)通電阻,采用HiP247-4封裝??。
SCT040W65G3-4采用ST的先進第三代SiC MOSFET技術(shù),具有在整個溫度范圍內(nèi)非常低的RDS(on),結(jié)合低電容和非常高的開關(guān)操作頻率,能夠改善應(yīng)用性能,提高頻率、能源效率、系統(tǒng)尺寸和重量減少?。
此外,SCT040W65G3-4具有非??焖俸头€(wěn)健的內(nèi)置體二極管,能夠在高達200°C的結(jié)溫下工作,并且具有源感應(yīng)引腳以提高效率?。
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品:SCT040W65G3-4
封裝 / 箱體::HiP247-4
晶體管極性::N-Channel
通道數(shù)量::1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓::650 V
Id-連續(xù)漏極電流::30 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻::63 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓::- 10 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓::3 V
Qg-柵極電荷::37.5 nC
最小工作溫度::- 55 C
最大工作溫度::+ 200 C
Pd-功率耗散::240 W
通道模式::Enhancement
配置::Single
下降時間::19 ns
封裝::Tube
產(chǎn)品::SiC MOSFETS
產(chǎn)品類型::SiC MOSFETS
上升時間::7.4 ns
典型關(guān)閉延遲時間::29.6 ns
典型接通延遲時間::13 ns
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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