BTS3160D是一款鎖存單通道低端電源開關(guān)，采用 PG-TO-252-5-13 封裝，提供嵌入式保護(hù)功能。功率晶體管由一個(gè) N 溝道垂直功率 MOSFET 構(gòu)建。該器件由智能電源技術(shù)控制芯片控制。該器件能夠開關(guān)各種電阻、電感和電容負(fù)載。對(duì)于燈負(fù)載，必須考慮燈的浪涌電流，即額定電流的 8 到 10 倍。最大浪涌電流必須低于最小短路關(guān)斷電流。VS 和 IN/Fault 引腳的 ESD 保護(hù)與接地有關(guān)。

BTS3160D由 VS 引腳供電。該引腳可連接至電池線路。電源電壓由欠壓鎖定電路監(jiān)控。即使在 3.3 V 輸入信號(hào)下，柵極驅(qū)動(dòng)單元也能使器件在低歐姆范圍內(nèi)工作。對(duì)于 PWM 應(yīng)用，該器件通過嵌入式邊沿整形功能提供平滑的開啟和關(guān)閉，以減少電磁兼容噪聲。過壓保護(hù)功能用于在負(fù)載驟降或電感關(guān)斷條件下提供保護(hù)。如果漏極-源極電壓過高，功率 MOSFET 將對(duì)其進(jìn)行限制。即使在無電源的情況下，也可使用該功能。過溫保護(hù)是為了防止器件因過載和不良冷卻條件而過熱。

為了減少器件應(yīng)力，在熱關(guān)斷期間禁用邊緣整形。熱關(guān)斷后，器件一直處于關(guān)斷狀態(tài)，直到鎖存器被 IN-Low 信號(hào)復(fù)位。在短路等高動(dòng)態(tài)過載條件下，如果達(dá)到一定的負(fù)載電流，器件將關(guān)閉。短路關(guān)斷是一種鎖存功能。設(shè)備將一直處于關(guān)斷狀態(tài)，直到 IN-Low 信號(hào)將鎖存器復(fù)位。為了減少器件應(yīng)力，短路關(guān)斷期間將禁用邊沿整形功能。

BTS3160D特點(diǎn)

邏輯電平輸入，兼容 3.3 V 或 5 V 微型控制器

由 Vbb 線路供電，電壓可低至 6 V

總漏電電流極低

提供數(shù)字故障信息

靜電放電保護(hù)（ESD）

綠色產(chǎn)品（符合 RoHS 規(guī)范）

通過 AEC 認(rèn)證

BTS3160D應(yīng)用

與微控制器兼容的低壓側(cè)電源開關(guān)，具有數(shù)字反饋功能，適用于 12V 負(fù)載

所有類型的電阻、電感和電容負(fù)載

適用于高浪涌電流負(fù)載，如燈具

由于漏電流低，因此也適用于 LED

取代機(jī)電繼電器、保險(xiǎn)絲和分立電路

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