IMDQ65R015M2H是英飛凌（Infineon）推出的一款CoolSiC? MOSFET 650 V Generation 2產(chǎn)品，采用Q-DPAK封裝，具有頂側(cè)冷卻功能?。IMDQ65R015M2H利用第二代CoolSiC?技術(shù)的優(yōu)越開關(guān)性能，提供了頂側(cè)冷卻的優(yōu)勢，進一步提升了系統(tǒng)的整體性能。

技術(shù)規(guī)格

產(chǎn)品：IMDQ65R015M2H

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：94 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：18 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6 V

Qg-柵極電荷：79 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：499 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：6.4 ns

濕度敏感性：Yes

封裝/箱體：HDSOP-22

產(chǎn)品：SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時間：14.7 ns

晶體管類型：1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間：22 ns

典型接通延遲時間：11.6 ns

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