ADRF5162BCPZN大功率單刀雙擲 (SPDT) 反射式硅開關是一款采用硅工藝制造的反射式開關。ADRF5162的工作頻率范圍為0.4GHz至8GHz，典型插入損耗為0.6dB，典型隔離為45dB。該器件插入損耗路徑具有平均功率45.5dBm、峰值功率50dBm的射頻 (RF) 輸入功率處理能力。

ADRF5162BCPZN在+3.3V正電源上消耗130μA的低電流，在-3.3V負電源上消耗500μA的電流。該器件采用互補金屬氧化物半導體 (CMOS)/兼容低壓晶體管至晶體管邏輯 (LVTTL) 的控制。ADRF5162無需額外的驅動器電路，因此非常適合用于替代基于GaN和PIN二極管的開關。

ADRF5162BCPZN采用24引線、4.0mm × 4.0mm、符合RoHS指令的引線框架芯片級封裝 (LFCSP)，工作溫度范圍為-40°C至+105°C。

ADRF5162BCPZN的應用

軍用無線電、雷達和電子對抗措施

蜂窩電話基礎設施

測試和儀器

氮化鎵和 PIN 二極管替代品

ADRF5162BCPZN的規(guī)格

制造商: Analog Devices Inc.

產品種類: RF 開關 IC

開關配置: SPDT

最小頻率: 400 MHz

最大頻率: 8 GHz

介入損耗: 0.6 dB

關閉隔離—典型值: 30 dB

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: LFCSP-24

濕度敏感性: Yes

開關數(shù)量: Single

空閑時間—最大值: 800 ns

運行時間—最大值: 800 ns

工作頻率: 400 MHz to 8 GHz

工作電源電流: 130 uA, 500 uA

電源電壓-最大: 3.45 V

電源電壓-最小: - 3.45 V

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