SCT2280KEGC11是低導(dǎo)通電阻，汽車級N溝道SiC功率MOSFET晶體管，1200V，280mΩ，封裝為TO-247-3。

器件規(guī)格

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：14A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 364 毫歐 @ 4A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 1.4mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 36 nC @ 400 V  

Vgs（最大值）： +22V，-6V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 667 pF @ 800 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 108W（Tc）  

工作溫度： 175°C（TJ）  

安裝類型：通孔  

供應(yīng)商器件封裝： TO-247N  

封裝/外殼： TO-247-3  

基本產(chǎn)品編號： SCT2280

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