商品名稱:NTBG080N120SC1
數(shù)據(jù)手冊:NTBG080N120SC1.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:D2PAK-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NTBG080N120SC1 1200V EliteSiC(碳化硅)MOSFET采用全新技術(shù),與硅器件相比,具有更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。
技術(shù)規(guī)格
產(chǎn)品種類:MOSFET
技術(shù):SiC
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:D2PAK-7
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流:30 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:110 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 15 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4.3 V
Qg-柵極電荷:56 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:179 W
NTBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET符合汽車AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)和RoHS指令。這些MOSFET非常適合用于升壓逆變器、充電站、直流-直流逆變器、直流-直流轉(zhuǎn)換器、車載充電器 (OBC)、電機(jī)控制、工業(yè)電源和服務(wù)器電源。
型號
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描述
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