NTBLS1D1N08H產(chǎn)品屬性：

FET 類型： N 通道  

技術： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 80 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 41A（Ta），351A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 1.05 毫歐 @ 50A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 650μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 166 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 11200 pF @ 40 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 4.2W（Ta），311W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： 8-HPSOF  

封裝/外殼： 8-PowerSFN

特點

? 低RDS(on)，最大限度地減少傳導損耗

? 低QG和電容，最大限度地減少了驅動器的損耗

? 降低了開關噪聲/EMI

? 這些器件是無鉛的，符合RoHS標準

典型應用

? 電動工具、電池驅動的真空吸塵器

? 無人機/無人機，材料處理

? BMS/存儲，家庭自動化

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