NTMFS005N10MCLT1G單N溝道功率MOSFET是一款小尺寸、設(shè)計緊湊的MOSFET，具有低RDS(on) 和低電容。低RDS(on) 值可最大限度降低導(dǎo)通損耗，低電容可最大限度降低驅(qū)動器損耗。這些單N溝道功率MOSFET不含鉛，符合RoHS指令，工作溫度范圍為- 55°C至175°。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：16A（Ta），105A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：5.1 毫歐 @ 34A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 192μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：55 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4100 pF @ 50 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta），125W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封裝/外殼：8-PowerTDFN，5 引線

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