NTH4L015N065SC1是一款N型650V 142A碳化硅 (SiC) MOSFET器件，與硅器件(Si)相比可提供出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，采用緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和低柵極電荷。優(yōu)勢(shì)包括效率高、工作頻率快、功率密度高、EMI低以及系統(tǒng)尺寸小。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：142A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：18 毫歐 @ 75A，18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 25mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：283 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-8V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：4790 pF @ 325 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：500W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4L

封裝/外殼：TO-247-4

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