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商品型號:IMZ120R220M1H

商品名稱:IMZ120R220M1H

數(shù)據手冊:IMZ120R220M1H.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-247-4

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
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技術參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IMZ120R220M1H
封裝
TO-247-4
描述
采用TO247-4封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET

產品描述

IMZ120R220M1H是采用TO247-4封裝的1200 V、220 mΩ CoolSiC? MOSFET,它基于先進的溝槽半導體工藝,該工藝經過優(yōu)化,兼具性能與可靠性。 與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)硅(Si)基開關相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢,例如1200V級開關中最低的柵極電荷和器件電容電平、抗換向體二極管無反向恢復損耗、 獨立于溫度的低開關損耗以及無閾值導通特性。因此,CoolSiC? MOSFET非常適用于硬開關和諧振開關拓撲結構,如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓撲以及DC-DC轉換器或DC-AC逆變器。


特征描述

一流的開關和導通損耗

基準高閾值電壓,Vth > 4 V

0V關斷柵極電壓,簡單輕松地進行柵極驅動

柵源電壓范圍寬

損耗低且牢固的體二極管,可用于硬換向

開關關斷損耗不受溫度影響

驅動源引腳,優(yōu)化開關性能


優(yōu)勢

最高效率

減少了冷卻工作

提高了操作頻率

增加了功率密度

降低了系統(tǒng)的復雜程度


應用領域

不間斷電源(UPS)

電動汽車快速充電

太陽能系統(tǒng)解決方案

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型號

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IMZ120R060M1H

INFINEON

TO-247-4

3000

1200V、60mΩ、CoolSiC? 碳化硅 MOSFET 晶體管、TO-247-4

G2R1000MT33J

Navitas

TO-263-7

3000

3300 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

LSIC1MO120G0025

Littelfuse

TO-247-4

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

NTBL023N065M3S

ON

H-PSOF-8

2000

650 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

MSC080SMA120SA

Microchip

TO-263-7

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

MSC060SMA070SA

Microchip

TO-263-7

2000

700 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

MSC040SMA120SD

Microchip

D3PAK-3

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

MSC035SMA070SC

Microchip

D3PAK-3

2000

700 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

IXSH80N120L2KHV

IXYS

TO-247-4L

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

IXSH40N120L2KHV

IXYS

TO-247-4L

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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