IMZA65R030M1H 650V CoolSiC? MOSFET 基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體技術(shù)，并經(jīng)過優(yōu)化，在毫不折衷的情況下，在應(yīng)用中實現(xiàn)最低損耗，并在運行中實現(xiàn)最佳可靠性。

英飛凌 SiC MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝，可降低源極寄生電感對門極電路的影響，從而加快開關(guān)速度，提高效率。

IMZA65R030M1H規(guī)格

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）：650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：53A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） ：42 毫歐 @ 29.5A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.7V @ 8.8mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：48 nC @ 18 V

Vgs（最大值）： +20V，-2V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1643 pF @ 400 V

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）：197W（Tc）

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-4-3

封裝/外殼： TO-247-4  

潛在應(yīng)用

服務(wù)器

電信系統(tǒng)

SMPS

太陽能系統(tǒng)

儲能和電池信息

UPS

電動汽車充電

電機(jī)驅(qū)動器

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