MSC035SMA170B4 器件是一個1700V，35mΩ SiC MOSFET，采用TO-247-4引腳封裝，具有源感。Microchip  (SiC) 肖特基勢壘二極管 (SBD) 具有出色的動態(tài)性能和熱性能，優(yōu)于傳統(tǒng)的硅功率二極管。

產品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1700 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：68A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：45 毫歐 @ 30A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.25V @ 2.5mA（標準）

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：178 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+23V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3300 pF @ 1000 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：370W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-4

封裝/外殼：TO-247-4

MSC035SMA170B4器件設計用于以下應用：

? 光伏逆變器，轉換器，和工業(yè)電機驅動器

? 智能電網輸配電

? 感應加熱和焊接

? H/EV動力總成和EV充電器

? 電源和配電

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