STGIPQ4C60T-HZ SLLIMM nano IGBT采用簡易堅固的設(shè)計，是一款緊湊的高性能交流電機驅(qū)動器。該IGBT由六個帶續(xù)流二極管的改進(jìn)短路堅固型溝槽式柵極場終止型IGBT和三個用于柵極驅(qū)動的半橋HVIC組成。它具有低電磁干擾 (EMI) 特性和經(jīng)過優(yōu)化的開關(guān)速度。
該IPM包括一個完全中性的運算放大器和一個比較器，可用于設(shè)計快速高效的保護(hù)電路。
STGIPQ4C60T-HZ的規(guī)格：
類型：IGBT
配置：三相反相器
電流：6 A
電壓：600 V
電壓 - 隔離：1500Vrms
安裝類型：通孔
封裝/外殼：26-PowerDIP 模塊（0.846"，21.48mm）
基本產(chǎn)品編號：STGIPQ4
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%；營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡，其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外，它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…
STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件，屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷，以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C，具有無尾關(guān)斷特性，飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V（典型值），并且參數(shù)分布緊…
STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件，其采用先進(jìn)的專有溝柵場運算結(jié)構(gòu)開發(fā)，旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷，以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下：技術(shù)規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電流…
STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，具有低損耗和短路功能，特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格：IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集…
STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，因其低損耗和短路功能，STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下：技術(shù)規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (I…
STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)，旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡，從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下：技術(shù)規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電…電話咨詢：86-755-83294757
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