NTHL023N065M3S 650V M3S平面SiC MOSFET新系列產(chǎn)品針對快速開關應用進行了優(yōu)化。平面技術在負柵極電壓驅(qū)動下工作可靠，并關閉柵極上的尖峰。該系列采用18V柵極驅(qū)動時性能最佳，但采用15V柵極驅(qū)動時也能正常工作。這些MOSFET非常適合SMPS、太陽能逆變器、不間斷電源、儲能、電動汽車充電基礎設施的應用。

NTHL023N065M3S的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：11 ns

Id-連續(xù)漏極電流：40 A

最大工作溫度：+ 175°C

最小工作溫度：- 55°C

安裝風格：Through Hole

通道數(shù)量：1 Channel

封裝 / 箱體：TO-247-3

封裝：Tube

Pd-功率耗散：263 W

產(chǎn)品：SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：262 nC

Rds On-漏源導通電阻：18 mOhms

上升時間：30 ns

系列：NTHL023N065M3S

工廠包裝數(shù)量：450

子類別：Transistors

技術：SiC

晶體管極性：N-Channel

晶體管類型：1 N-Channel

典型關閉延遲時間：38 ns

典型接通延遲時間：12 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Vgs - 柵極-源極電壓：- 8 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

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