UJ3C065080T3S 650 V, 80 mohm SiC FET是碳化硅（SiC）FET，基于獨(dú)特的級聯(lián)配置，并針對軟開關(guān)設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化。UJ3C SiC FET非常適合用于升級現(xiàn)有基于硅的器件或啟動基于SiC的新設(shè)計(jì)。

規(guī)格

技術(shù)：SiC

安裝風(fēng)格：通孔

封裝 / 箱體：TO-220-3

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：31 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：100 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

Qg-柵極電荷：51 nC

最小工作溫度：- 55°C

最大工作溫度：+ 175°C

Pd-功率耗散：190 W

通道模式：Enhancement

資格：AEC-Q101

商標(biāo)名：SiC FET

系列：UJ3C

配置：Single

下降時(shí)間：11 ns

產(chǎn)品類型：MOSFET

上升時(shí)間：13 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：59 ns

典型接通延遲時(shí)間：18 ns

單位重量：2 g

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