C3M0045065D - 650V、45mΩ、49A、分立碳化硅功率 MOSFET 晶體管，采用 TO-247-3 封裝

產(chǎn)品概覽

Wolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET，擴(kuò)大了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)的領(lǐng)先優(yōu)勢，使更多電源系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了更小、更輕和更高效的功率轉(zhuǎn)換。650 V MOSFET 產(chǎn)品系列是高性能工業(yè)電源、服務(wù)器/電信電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、不間斷電源和電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用的理想之選。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：碳化硅  

安裝方式：通孔

封裝/外殼：TO-247-3  

晶體管極性：N-通道  

通道數(shù)：1 通道  

Vds - 漏極-源極擊穿電壓：650 V  

Id - 漏極連續(xù)電流：49 A  

Rds On - 漏極-源極電阻：45 mOhms  

Vgs - 柵極源極電壓：- 8 V，+ 19 V  

Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：3.6 V  

Qg - 柵極電荷：63 nC  

最低工作溫度：- 40°C

最高工作溫度：175°C

Pd - 功率耗散：176 W  

通道模式：增強(qiáng)型

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