C3M0025065K - 650V N 溝道增強型碳化硅 MOSFET 晶體管，采用 TO-247-4 封裝 

產(chǎn)品描述

C3M0025065K 是 650V N 溝道增強型碳化硅 MOSFET 晶體管，采用 TO-247-4 封裝。它是高性能工業(yè)電源、服務器/電信電源、電動汽車充電系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、不間斷電源和電池管理系統(tǒng)等應用的理想之選。

產(chǎn)品屬性

FET 類型 N 通道  

技術(shù) SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss） 650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 97A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 34 毫歐 @ 33.5A，15V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 3.6V @ 9.22mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 112 nC @ 15 V  

Vgs（最大值） +19V，-8V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 2980 pF @ 600 V  

功率耗散（最大值） 326W（Tc）  

工作溫度 -40°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型 通孔  

供應商器件封裝 TO-247-4L  

封裝/外殼 TO-247-4

主要特性

低導通電阻

超低反向恢復的快速二極管

高溫工作（TJ = 175°C）

外形小巧

低引線電感

低熱阻抗

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