商品名稱：DDR3(L) SDRAM
品牌：SMARTsemi
年份：24+
封裝：FBGA-78
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
KTDM2G3C818BGCEAT 這款2Gb DDR3(L) SDRAM由256 M x 8位組成，是一款1866Mbps組件，采用78引腳FBGA封裝。它提供商用溫度等級應用。該器件廣泛兼容，可替代嵌入式應用中使用的DDR SDRAMs。
參數(shù)
類型:：SDRAM - DDR3L
存儲容量:：2 Gbit
數(shù)據(jù)總線寬度:：8 bit
最大時鐘頻率:：933 MHz
封裝 / 箱體:：FBGA-78
組織:：256 M x 8
電源電壓-最小:：1.283 V
電源電壓-最大:：1.575 V
最小工作溫度:：0°C
最大工作溫度:：+ 85°C
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
SK hynix
FBGA-200
1000
Mem-SDRAM-Lpddr4, 16Gb(2Gb), 2Chx16, 3733Mbps, FBGA-200 (15.1X10.1)mm X 1mm Max H
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SMARTsemi生產(chǎn)專為嵌入式應用設計的工業(yè)和商業(yè)級內(nèi)存組件。他們的半導體業(yè)務支持晶圓加工、測試、老化、內(nèi)存組件組裝、標記和封裝，每年為國際一級客戶制造超過1.5億個內(nèi)存設備。
KTM8GL1ASI01
SMARTsemi KTM8GL1ASI01 8GB eMMC 5.1嵌入式閃存驅(qū)動器將大容量MLC NAND閃存與高速多媒體卡（MMC）控制器相結(jié)合。eMMC裝在一個單一的包裝中。這些器件廣泛用于消費電子、網(wǎng)絡、通信和工業(yè)應用。規(guī)格存儲容量：8 GB順序讀?。?45 MB/s順序?qū)懭耄?15 MB/s接口類型：eMMC 5.…
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SMARTsemi KTM4GH1AHI01 4GB eMMC 5.1嵌入式閃存驅(qū)動器將高容量NAND閃存與高速多媒體卡(MMC)控制器相結(jié)合。eMMC裝在一個單一的包裝中。這些器件廣泛用于消費電子、網(wǎng)絡、工業(yè)和汽車應用。規(guī)格存儲容量：4 GB配置：MLC順序讀?。?70 MB/s順序?qū)懭耄?0 MB/s接口類型：eMMC …
KTDM2G3C818BGIEAT
KTDM2G3C818BGIEAT 2Gb DDR3(L) SDRAM由256 M x 8位組成，是一款1866Mbps組件，采用78引腳FBGA封裝。它提供工業(yè)溫度等級應用。該器件廣泛兼容，可替代嵌入式應用中使用的DDR SDRAMs。參數(shù)類型:：SDRAM - DDR3L存儲容量:：2 Gbit數(shù)據(jù)總線寬度:：8 bit最大時鐘頻率:：933 M…
KTDM2G3C618BGCEAT
KTDM2G3C618BGCEAT 這款2Gb DDR3(L) SDRAM采用128 M x 16位結(jié)構(gòu)，是一款1866Mbps組件，采用96引腳FBGA封裝。它提供商用溫度級應用。該器件廣泛兼容，可替代嵌入式應用中使用的DDR SDRAMs。參數(shù)類型：SDRAM - DDR3L存儲容量：2 Gbit數(shù)據(jù)總線寬度：16 bit最大時鐘頻率：933…
KTDM2G3C618BGIEAT
KTDM2G3C618BGIEAT 2Gb DDR3(L) SDRAM采用128 M x 16位結(jié)構(gòu)，是一款1866Mbps組件，采用96引腳FBGA封裝。它提供工業(yè)溫度級應用。該器件廣泛兼容，可替代嵌入式應用中使用的DDR SDRAMs。參數(shù)類型：SDRAM - DDR3L存儲容量：2 Gbit數(shù)據(jù)總線寬度：16 bit最大時鐘頻率：933 MHz…
KTDM4G3C818BGIEAT
KTDM4G3C818BGIEAT 4Gb DDR3(L) SDRAM采用512M x 8位結(jié)構(gòu)，是一款1866Mbps組件，采用78引腳FBGA封裝。它提供工業(yè)溫度等級應用。該器件廣泛兼容，可替代嵌入式應用中使用的DDR SDRAMs。參數(shù)類型：SDRAM - DDR3L存儲容量：4 Gbit數(shù)據(jù)總線寬度：8 bit最大時鐘頻率：933 MHz封…電話咨詢：86-755-83294757
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