C3M0060065L SiC MOSFET C3M采用TOLL封裝，實現(xiàn)了TOLL封裝的緊湊尺寸、低損耗和高功耗能力，支持高功率密度設計。

優(yōu)勢

? 降低開關(guān)損耗，盡量減少柵極振鈴

? 提高系統(tǒng)效率

? 降低冷卻要求

? 提高功率密度

? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率

產(chǎn)品屬性

制造商： Wolfspeed, Inc.  

系列： C3M?  

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 39A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 79 毫歐 @ 13.2A，15V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3.6V @ 3.64mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 46 nC @ 15 V  

Vgs（最大值）： +19V，-8V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1170 pF @ 400 V  

功率耗散（最大值）： 131W（Tc）  

工作溫度： -40°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： TOLL 

該SiC MOSFET優(yōu)化用于高性能電力電子應用，包括企業(yè)、服務器和電信電源、電動汽車充電系統(tǒng)、能量存儲系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng)。

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