NVMFWS015N10MCLT1G 汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引線封裝，專為緊湊型高效設(shè)計而設(shè)計，具有高散熱性能。提供用于增強(qiáng)光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)翼選件。通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET，具有 PPAP 能力，適合汽車應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）： 100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 10.5A（Ta），54A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 12.2mOhm @ 14A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3V @ 77μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 19 nC @ 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1338 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）： 3W（Ta），79W（Tc）

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）

等級： 汽車級

資質(zhì)： AEC-Q101

安裝類型 ：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封裝/外殼： 8-PowerTDFN，5 引線

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