APT40M70JVR - Power MOS V? 是新一代高壓 N 溝道增強型功率 MOSFET 模塊。這項新技術最大限度地減少了 JFET 效應，提高了封裝密度并降低了導通電阻。Power MOS V? 還通過優(yōu)化柵極布局實現(xiàn)了更快的開關速度。

產(chǎn)品屬性

FET 類型 N 溝道  

技術 MOSFET（金屬氧化物）  

漏極至源極電壓 (Vdss) 400 V  

電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C 53A (Tc)  

驅動電壓（最大 Rds 導通，最小 Rds 導通）10V  

Rds On（最大）@ Id，Vgs 70mOhm @ 26.5A，10V  

Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA  

柵極電荷 (Qg)（最大值）@ Vgs 495 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±30V  

輸入電容 (Ciss)（最大值）@ Vds 8890 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值） 450W (Tc)  

工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)  

安裝類型 底座安裝  

供應商 器件封裝 SOT-227 (ISOTOP?)  

封裝/外殼 SOT-227-4，miniBLOC

產(chǎn)品特性

開關速度更快

100% 雪崩測試

更低漏電

流行的 SOT-227 封裝

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