MSC080SMA120JS15 MOSFET 和硅 IGBT 解決方案相比，性能更高，同時降低了高壓應用的總擁有成本。是一款采用 SOT-227 封裝的 1200 V、80 mΩ SiC MOSFET。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：31A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 15A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：64 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+23V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：838 pF @ 1000 V

功率耗散（最大值）：143W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

供應商器件封裝：SOT-227（ISOTOP?）

封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC

應用

●光伏逆變器、轉(zhuǎn)換器和工業(yè)電機驅(qū)動器

●智能電網(wǎng)輸配電

●感應加熱和焊接

●H/EV 動力總成和電動汽車充電器

●供電和配電

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