SCT060HU75G3AG 碳化硅功率MOSFET器件采用ST先進(jìn)創(chuàng)新的第三代SiC MOSFET技術(shù)開發(fā)而成。該器件在整個溫度范圍內(nèi)具有極低的RDS（on），結(jié)合低電容和極高的開關(guān)操作，可提高頻率、能效、系統(tǒng)尺寸和重量減輕方面的應(yīng)用性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

漏源電壓（Vdss）：750 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：78mOhm @ 15A, 18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：29 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：4.2V @ 1mA

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：680 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：185W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：HU3PAK

封裝/外殼：TO-263-8，D2PAK（7 引線 + 凸片），TO-263CA

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