NCV57256DR2G是高電流雙通道隔離式 IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，具有從輸入到每個(gè)輸出的 2.5 或 5 kVrms* 內(nèi)部電隔離，以及兩個(gè)輸出之間的功能隔離。該器件在輸入端可接受 3.3 V 至 20 V 偏置電壓和信號(hào)電平，在輸出端可接受高達(dá) 3.3 V 至 20 V 偏置電壓和信號(hào)電平，輸出端接受高達(dá) 32 V 的偏置電壓。該器件接受互補(bǔ)輸入，并提供獨(dú)立引腳用于禁用和死區(qū)時(shí)間控制引腳，方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：容性耦合

通道數(shù)：2

電壓 - 隔離：2500Vrms

共模瞬變抗擾度（最小值）：100kV/μs

傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）：80ns，80ns

脈寬失真（最大）：20ns

上升/下降時(shí)間（典型值）：12ns，10ns

電流 - 輸出高、低：3.5A，3.5A

電流 - 峰值輸出：3.5A，6.5A

電壓 - 輸出供電：32V

等級(jí)：汽車級(jí)

資質(zhì)：AEC-Q100

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：16-SOIC

認(rèn)證機(jī)構(gòu)：VDE

應(yīng)用

● 電動(dòng)汽車充電器

● 電機(jī)控制

● 不間斷電源 (UPS)

● 工業(yè)電源

● 太陽能逆變器

● 汽車應(yīng)用

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