ISK018NE1LM7AULA1 是業(yè)內(nèi)首款15 V額定溝槽式功率MOSFET產(chǎn)品組合的一部分，具有2.15 mOhm的極低導通電阻（RDS（on）），同時提供超過500 A的脈沖電流能力，典型熱阻結(jié)到外殼底部（RTHJC）為1.6 K/W。4 mm2的小尺寸封裝可顯著節(jié)省空間，實現(xiàn)PCB布局靈活性，同時改善外形尺寸。

產(chǎn)品屬性：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：15 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A（Ta），129A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，7V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.8 毫歐 @ 20A，7V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 106μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：13.6 nC @ 7 V

Vgs（最大值）：±7V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1600 pF @ 7.5 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），39W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-VSON-6-1

封裝/外殼：6-PowerVDFN

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