UF3C120080B7S碳化硅場效應(yīng)晶體管器件采用獨特的 "級聯(lián) "電路配置。該器件采用獨特的 "級聯(lián) "電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常關(guān)型 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT 的真正 "直接替代品"。采用 D2 PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性、使其成為開關(guān)電感負載和任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用的理想之選。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（共源共柵 SiCJFET）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：28.8A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：105 毫歐 @ 20A，12V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：6V @ 10mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：23 nC @ 12 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：754 pF @ 100 V

功率耗散（最大值）：190W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：D2PAK-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

應(yīng)用

● 電信和服務(wù)器電源

● 工業(yè)電源

● 功率因數(shù)校正模塊

● 電機驅(qū)動器

● 感應(yīng)加熱

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